KPS-600/20-REL

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借助FRAM的功能挑战超低功耗

　　除具有显著的节电优势外，TI的MSP430FR59x/69x FRAM MCU产品系列还具有以下无与伦比的特性，超出了开发人员的预期：

　　· 的可擦写次数。无可匹敌的读取/写入速度意味着FRAM MCU比传统非易失性存储器解决方案的擦写循环次数多100亿次以上 — 擦写周期超过了产品生命周期本身。

　　· 灵活性。FRAM具有能力，使开发人员摆脱代码和数据存储器之间的传统界限束缚。用户无需再受限于业界标准闪存与RAM的比率或为增加的RAM需求支付额外费用。

　　· 易用性。FRAM可简化代码开发。由于FRAM无需预先擦除段，并可基于比被存取，使恒定的即时数据记录成为可能。无线固件更新复杂程度降低，速度加快且能耗减少。

　　TI超低功耗FRAM MCU产品组合的特性与优势

　　· FRAM是的非易失性嵌入式存储器，可在电流低于800μA的情况下以8Mbps的速率被写入 — 比闪存快100倍以上。

　　· 借助引脚对引脚兼容性和可扩展的产品组合（由TI超低功耗MSP430? MCU FRAM产品平台内32KB至128KB的器件组成），使开发工作变得更轻松。

　　· 借助MSP430 FRAM和闪存组合之间的代码和外设兼容性，利用MSP430Ware?来简化迁移。

　　· 可取代EEPROM，旨在设计出写入速度更快、功耗更低且内存可靠性更高的产品。

　　· 256位的AES加速器使TI的FRAM MCU能确保数据传输。

　　· 适合开发人员使用的丰富资源包括详细的迁移指南和应用手册，以简化从现有硅芯片到MSP430FR59x/69x MCU的迁移。

　　入门

　　开发人员可通过涵盖面的培训计划（包含针对超低功耗平台各个方面的在线培训和现场培训环节）开始使用TI的FRAM MCU产品组合。一系列深入细致的教程视频将帮开发人员快速启动设计并在设计周期的任何阶段采用EnergyTrace++技术和开发工具对TI的FRAM MCU进行故障排除。

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