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SIEMENS LD63F600
- 品牌：SIEMENS
- 规格：SIEMENS LD63F600
- 材质：SIEMENS LD63F600
- 产地：瑞士
- 更新时间：2015-05-25
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周忆 女士（销售工程师）
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SIEMENS LD63F600
高电压转换开关不仅可降低系统成本，小化电源整体尺寸，同时还可保持率与高系统性能。设计人员无需增加额外的半导体组件，即可使用该转换开关构建降压、升降压以及反向等不同转换器拓扑。UCC28880_chip UCC28880 的主要特性与优势： · 业界低功耗：由于负载降低，静态电流可降低至 100uA 以下； · 缩小应用尺寸，降低整体系统成本：该电路在 29.4 平方毫米的微小型 7 引脚SO 封装中高度集成 700V MOSFET、启动电流电源以及内部电流传感功能。此外，由于无需外部补偿，这进一步减少了组件数量，从而缩小板级空间； · 过大电流下的优异系统性能：除了电流限制功能之外，控制器的电感器电流失控保护也有助于在负载短路情况下提供保护，确保设计可靠性； · 过热保护：该器件提供支持滞后重启的过温保护功能，可确保工作； · 更高的爬电距离与间隙：高电压引脚隔离在封装的一侧，其可大限度增大高低电压引脚的间隙。 基于 UCC28880 的 离线 AC/DC 参考设计 （PMP8550） 不仅可帮助设计人员快速设计总体解决方案尺寸为 38 毫米 × 32 毫米 × 22 毫米，且兼具低成本、低功耗非隔离式高侧降压转换器，此外，它还支持 13V 的电压，同时还可生成高达 100mA 的输出电流。该参考设计采用集成开关的降压转换器，可用于众多工业应用。设计原理图、CAD 文件以及测试结果可供下载。 供货情况 集成 700V FET 的 UCC28880 转换开关现已开始供货，采用 7 引脚 SOIC 封装。UCC28880 低侧降压评估板 （EVM） 与高侧降压 EVM 包含可下载 PSpice 模型。 关于德州仪器公司 德州仪器 （TI） 是一家性半导体设计制造公司，始终致力于模拟 IC 及嵌入式处理器开发。TI 拥有人才，锐意创新，塑造技术行业未来。今天，TI 正携手超过 10 万家客户打造更美好未来。东芝开发出了用于超低功耗MCU的新型晶体管技术，可将MCU的耗电量降至1/10以下，而且能够利用与现行标准晶体管（MOSFET）相同的CMOS工艺制造。东芝计划2017年投产配备该技术的MCU。设想的用途包括电池驱动型移动产品、可穿戴终端和传感器网络终端等。 在2014年9月8～11日举行的半导体器件技术国际会议“SSDM（International conference on Solid State Devices and Materials）2014”（茨城县筑波市）上，东芝发表了三篇与上述技术有关的论文。 工作电压降至0.5V以下 东芝开发的是名为隧道FET（Tunnel FET：TFET）的场效应晶体管。这是一种利用电子的能带间隧道现象控制开/关的晶体管，可通过使MOSFET的源极和漏极的导电型半导体（p或n）互补来实现。 TFET的特点是，与MOSFET相比能获得更为陡峭的开/关特性。MOSFET受电子的热扩散影响，表示开/关特性上升陡峭度的S因子只能减至约60mV/dec，而TFET能获得低于60mV/dec的非常小的S因子。 东芝新型TFET晶体管，使MCU功耗降至1/10 MOSFET与TFET的工作原理的区别 因此，TFET能以非常低的电压驱动，还能大幅减小关态漏电流。例如，工作电压“可降至MOSFET的1/2以下，也就是0.5V以下”（东芝半导体＆存储产品公司半导体研发中心新器件技术开发部器件技术开发主任川中繁）。关态漏电流与MOSFET相比有望减小约2位数。工作电压低就能降低工作时所需电力，而关态漏电流小可削减待机时所需电力。 东芝新型TFET晶体管，使MCU功耗降至1/10 有望实现超低功耗 英特尔也将其视为新一代技术的有力候补 英特尔也是看中了TFET的潜力的企业之一。作为以低电压工作的新一代晶体管技术，该公司以前就在大力开发TFET。英特尔预定在SSDM 2014上就TFET发表特邀演讲，演讲题目为“Tunnel-FET Transistors for 13nm Gate-Length and Beyond”，由此可见，英特尔已将TFET作为10nm以后工艺的技术候补。 不过，以前就在推进开发的TFET存在一个巨大的课题，即无法获得充分的导通电流（驱动电流）。东芝半导体＆存储产品公司半导体研发中心新器件技术开发部器件技术开发主任后藤正和介绍说，从TFET的工作原理来看，其开/关利用的是隧道现象，导通电阻比MOSFET大。因此，以前TFET的导通电流要比 MOSFET低3位数左右。 为弥补这个缺点，欲利用InGaAs和GaSb等III-V化合物半导体代替硅来实现TFET的研究逐渐兴起。这些材料与硅相比带隙更窄，因此可缩窄电子隧穿区域的宽度，相应地，能够提高导通电流。英特尔等在学会上发表的就是这种类型的TFET。 东芝新型TFET晶体管，使MCU功耗降至1/10 英特尔等大力开发 限定用途力争尽快实用化 而东芝打算利用硅材料，实现能以CMOS工艺制造的TFET。这是因为，采用III-V化合物半导体的逻辑LSI用晶体管“连MOSFET都还没实现实用化，而TFET的技术难度比MOSFET更高”（后藤正和）。 东芝计划将TFET的用途也限定为“现实路线”，以尽快实现实用化。不打算将其用于智能手机用应用处理器等工作频率超过1GHz的用途，而是瞄准了重视耗电量、工作频率约为几十MHz的MCU。另外，并不打算将芯片上的所有MOSFET都换成TFET，只将其用于逻辑部分中特别重视低关态漏电流的区域和 SRAM。 东芝新型TFET晶体管，使MCU功耗降至1/10 计划将TFET用于逻辑部分中重视低关态漏电流的区域和SRAM 根据应用位置开发3种类型 东芝此次开发出了可利用CMOS工艺制造，而且与以往的硅材料TFET相比在导通电流和工艺偏差方面更有利的TFET。此次开发的TFET有3种类型，分别根据设想应用的电路块对特性进行了优化。这三种TFET分别是（1）用于逻辑部分、关态漏电流小、导通电流和工艺偏差取得平衡的TFET；（2）用于逻辑部分、关态漏电流小、导通电流大的TFET；（3）用于SRAM、工艺偏差小的TFET。后两种是东芝和日本产综研的共同开发成果。 这三种TFET的相同点是，都采用了立式TFET构造。这种构造能将源极扩大到普通TFET（横式TFET）的沟道区域，隧道电流能沿着与栅极电场平行的方向流动。 东芝新型TFET晶体管，使MCU功耗降至1/10 采用立式TFET 采用这种构造有两个优点。首先，基于栅极电场的隧道电流控制性升高，因此能提高导通电流。其次，可扩大隧道电流流动区域的截面积，因此容易减小工艺偏差。提高作为TFET缺点的导通电流 （1）是利用硅的外延生长，能以自对准工艺形成开/关特性出色的陡峭隧道结。形成隧道结时，在源极与沟道之间设置了防止源极中的添加杂质（B）扩散的 C（碳）掺杂层，还在沟道中添加P（磷）以降低阈值电压。通过这些措施，这种TFET的导通电流较以往的硅材料TFET提高了约一位数，还降低了工艺偏差。 东芝新型TFET晶体管，使MCU功耗降至1/10 利用硅的外延生长 ） 东芝新型TFET晶体管，使MCU功耗降至1/10 导通电流大，工艺偏差小 （2）利用了带隙比硅窄的材料SiGe，目的是在保持与CMOS工艺的亲和性的同时，获得比硅材料TFET更高的导通电流。 不过，即使源极、漏极和沟道全部采用SiGe，其效果也很小。东芝通过能带图推测了在构成CMOS的pFET和nFET的哪部分采用SiGe能提高导通电流。结果发现，在pFET的沟道和nFET的源极采用SiGe时，效果达到大化。 与以往的硅材料TFET相比，这种TFET的导通电流提高到了100倍。通过部分去除源极端的SiGe，还抑制了采用SiGe造成的关态漏电流增大现象。 东芝新型TFET晶体管，使MCU功耗降至1/10 在SiGe的应用位置上下工夫 东芝新型TFET晶体管，使MCU功耗降至1/10 既能提高导通电流又能降低关态漏电流 采用无结构造将偏差降到小 （3）采用去除了源极和沟道间的物理隧道结的“无结（Junctionless）”构造。这是此前不存在的“全新概念的器件”（后藤）。 据后藤介绍，立式TFET原本就采用了耐工艺偏差的构造，但为了形成隧道结而追加的制造工艺，使偏差不可避免地增大。因此，此次的构造弃用物理隧道结，利用加载栅极电场时耗尽层的扩展，以电气方式形成隧道结。对这种新构造器件的工作情况进行验证发现，其工艺偏差比横式TFET减少了一半。 东芝新型TFET晶体管，使MCU功耗降至1/10 去掉物理隧道结 东芝新型TFET晶体管，使MCU功耗降至1/10 偏差减半 今后，东芝将以量产为目标，开发把MOSFET和TFET配备在同一个芯片上的技术。其课题在于制造成本。TFET的制造工序数量比MOSFET更多，因此该公司打算使其在性能和芯片面积方面占优势，由此抵消成本增加的部分。计划使制造工序数“仅比MOSFET增加15％左右”（川中）。性能方面，计划使 S因子由目前的100左右降到60以下。 工艺技术“不打算采用（应用处理器使用的）工艺，而是利用65nm工艺或者更宽松的设计规则”（川中）。东芝计划在自家工厂量产这些产品。的e络盟社区聚集了丰富的应用及产品信息，包括360o产品图片、视频及下载资源，以及产品库存、售价、制造商明细及工程师点评等，而设计中心栏目还为工程师提供访问支持文件、技术数据表及论坛发帖的链接，以协助他们充分利用开发工具并及时迅速地解决问题。 该栏目站点是基于用户反馈及调研结果而创建，支持行业的搜索及选择功能，可通过输入关键词及部件编号进行搜索，并通过制造商、核心架构及芯片类别进行筛选。用户可将需要购买的开发工具自动添加至交易网站上的购物车内。 e络盟战略营销负责人Quintin Komaromy表示：“e络盟此次推出的全新设计中心栏目为设计工程师提供所需的全部内容，他们能够通过这个一站式资源中心获取新系列开发工具及套件以及完备的应用及产品数据资料。我们曾对工程师展开调研，以便了解并帮助他们快速地加快产品的上市周期，我们创建的这个资源中心能够为工程师在设计流程各个阶段提供所需支持。” “e络盟社区作为工程师进行讨论与协作的平台已获得巨大成功，现拥有25万社区成员，而设计中心栏目无疑是我们战略发展的又一重大举措。” “该栏目站点现已经可以支持从无线到传感和物联网应用的嵌入式技术，未来还将提供更丰富的内容及更强大的功能，以便为设计流程整个阶段提供支持。除了设计中心栏目，用户还可通过e络盟交易网站选购业内的开发工具及套件，几乎各地都支持当天派送服务。”CONTROL TECHNIQUES V75 ICD FLUX VECTOR DRIVE, REFURBISHLINCOLN ELECTRIC IDEALARC R3R-500 ARC WELDER /GENERATORFANUC A06B-6076-H101 SERVO AMPLIFIER FANUC A06B-6076-H001 SERVO AMPLIFIERFANUC A06B-6076-H101 SERVO AMPLIFIER FANUC A20B-9000-0300 PCB SERVO MOTOR SENSOR FANUC A06B-0756-B201#3000 AC SPINDLE MOTORFANUC A06B-0756-B201#3000 AC SPINDLE MOTORFANUC A06B-0859-B290 a22 AC SPINDLE MOTORFANUC A06B-0231-B033#7000 AC SPINDLE MOTORINDRAMAT TVM 2.1-050-W1-220 AC SERVO POWER SUPPLYINDRAMAT TVM 2.1-050-W1-115V AC SERVO POWER SUPPLYINDRAMAT TVM 2.1-50-220/300-W1-220/380 POWER SUPPLYINDRAMAT TVM 2.1-50-200-380-W1 AC SERVO POWER SUPPLYINDRAMAT TVM 2.1-50W1-115V AC SERVO POWER SUPPLYEBARA PUMP 100CSU6554 SUMP PUMP, NNBFANUC A05B-2300-C002 4 SLOT BACKPLANE *SQUARE D 800 A MHL360008M6105 MOLDED CASE SWITCHALLEN BRADLEY 1756-A17 RACK W/ 1756-PA72 POWER SUPPLYALLEN BRADLEY 1756-A13 CONTROL LOGIX CHASSIS W/ PWRSUPFANUC 1756-A10 CONTROL LOGIX 10 SLOT CHASSIS W/ PWRSUPFANUC A06B-6058-H101 SERVO AMPLIFIER DRIVER UNITINDRAMAT TVM-2.1-30-220/300-W1-115/220 POWER SUPPLY FANUC A16B-2100-010 CONTROL BOARDMILLER DELTAWELD 451 C.V. DC ARC WELDERINDRAMAT 2AD132C-B050B1-BS01-D2V1 AC SERVO MOTORSQUARE D EE45T1814HF 45 kVa GENERAL PURPOSE TRANSFORMERSQUARE D EE45T1814HF 45 kVa GENERAL PURPOSE TRANSFORMERINDRAMAT NAM 1.3-08 LINE FORMERINDRAMAT NAM 1.3-08 LINE FORMERAMETEK 511571 REGENERATIVE BLOWERSQUARE D 145T145HISDIT 145 kVa GENERAL TRANSFORMERAMETEK 511571 REGENERATIVE BLOWERAMETEK 511571 REGENERATIVE BLOWERAMETEK 511571 REGENERATIVE BLOWERGE SPECTRA EHGBAAQZRZZZZZZ 1600 A BUSWAY, NNBINDRAMAT NAM 1.3-08 LINE FORMERINDRAMAT 2AD132D-B350B1-AS01-D2N1 SERVO MOTORSQUARE D MHL366008002 600 A CIRCUIT BREAKER, NNBALLEN BRADLEY 8520-3S5A-BAT-EX4-T1-Y-4-5-7 SYSTEM MODULALLEN BRADLEY 8520-3S5A-BAT-EX4-T1-Y-4-5-7 SYSTEM MODULALLEN BRADLEY 1394-SJT10-A 10 kW SYSTEM MODULE MODULEALLEN BRADLEY 8520-4S10A-BATEX SERIES 9/440 CNC MODULEALLEN BRADLEY 8520-S10 9/440 SERIES CNC SYSTEM MODULEALLEN BRADLEY 1394-SJT10-A 10 kW SYSTEM MODULE MODULEALLEN BRADLEY 8520-S5 SERIES 9/440 CNC SYSTEM MODULEALLEN BRADLEY 8520-3S5A-BAT-EX4-T1-Y-4-5-7 SYSTEM MODULI-T-E MXD63M800 CIRCUIT BREAKER 800 AMPFANUC A06B-0731-B200#3000 AC SPINDLE MOTORFANUC A06B-0731-B200#3000-R AC SPINDLE MOTORFANUC A06B-0331-B061#7000 AC SPINDLE MOTORSIEMENS PH6138-4NF46 AC SERVO MOTORALLEN BRADLEY F-6200 -R-HO4AA BRUSHLESS SERVO MOTOR NIBALLEN-BRADLEY 8520-RIOM1 REMOTE I/O MODULELINCOLN ELECTRIC IDEALARC R3R-300 ARC WELDER /GENERATORLINCOLN ELECTRIC IDEALARC R3R-300 ARC WELDER /GENERATORLINCOLN ELECTRIC IDEALARC R3R-300 ARC WELDER /GENERATORHORNER ELECTRIC HE693THM166B THERMOCOUPLE INPUT MODULEFANUC A16B-1212-0871/14C RJ-2 POWER SUPPLY UNIT *FANUC A06B-6066-H235 SERVO AMPLIFIER *FANUC A16B-1212-0871/10C RJ-2 POWER SUPPLY UNIT *FANUC A16B-1212-0871/16C POWER SUPPLY W/ A20B-2000-0600FANUC A16B-1212-0871/16C RJ-2 POWER SUPPLY UNIT
高电压转换开关不仅可降低系统成本，小化电源整体尺寸，同时还可保持率与高系统性能。设计人员无需增加额外的半导体组件，即可使用该转换开关构建降压、升降压以及反向等不同转换器拓扑。UCC28880_chip UCC28880 的主要特性与优势： · 业界低功耗：由于负载降低，静态电流可降低至 100uA 以下； · 缩小应用尺寸，降低整体系统成本：该电路在 29.4 平方毫米的微小型 7 引脚SO 封装中高度集成 700V MOSFET、启动电流电源以及内部电流传感功能。此外，由于无需外部补偿，这进一步减少了组件数量，从而缩小板级空间； · 过大电流下的优异系统性能：除了电流限制功能之外，控制器的电感器电流失控保护也有助于在负载短路情况下提供保护，确保设计可靠性； · 过热保护：该器件提供支持滞后重启的过温保护功能，可确保工作； · 更高的爬电距离与间隙：高电压引脚隔离在封装的一侧，其可大限度增大高低电压引脚的间隙。 基于 UCC28880 的 离线 AC/DC 参考设计 （PMP8550） 不仅可帮助设计人员快速设计总体解决方案尺寸为 38 毫米 × 32 毫米 × 22 毫米，且兼具低成本、低功耗非隔离式高侧降压转换器，此外，它还支持 13V 的电压，同时还可生成高达 100mA 的输出电流。该参考设计采用集成开关的降压转换器，可用于众多工业应用。设计原理图、CAD 文件以及测试结果可供下载。 供货情况 集成 700V FET 的 UCC28880 转换开关现已开始供货，采用 7 引脚 SOIC 封装。UCC28880 低侧降压评估板 （EVM） 与高侧降压 EVM 包含可下载 PSpice 模型。 关于德州仪器公司 德州仪器 （TI） 是一家性半导体设计制造公司，始终致力于模拟 IC 及嵌入式处理器开发。TI 拥有人才，锐意创新，塑造技术行业未来。今天，TI 正携手超过 10 万家客户打造更美好未来。东芝开发出了用于超低功耗MCU的新型晶体管技术，可将MCU的耗电量降至1/10以下，而且能够利用与现行标准晶体管（MOSFET）相同的CMOS工艺制造。东芝计划2017年投产配备该技术的MCU。设想的用途包括电池驱动型移动产品、可穿戴终端和传感器网络终端等。 在2014年9月8～11日举行的半导体器件技术国际会议“SSDM（International conference on Solid State Devices and Materials）2014”（茨城县筑波市）上，东芝发表了三篇与上述技术有关的论文。 工作电压降至0.5V以下 东芝开发的是名为隧道FET（Tunnel FET：TFET）的场效应晶体管。这是一种利用电子的能带间隧道现象控制开/关的晶体管，可通过使MOSFET的源极和漏极的导电型半导体（p或n）互补来实现。 TFET的特点是，与MOSFET相比能获得更为陡峭的开/关特性。MOSFET受电子的热扩散影响，表示开/关特性上升陡峭度的S因子只能减至约60mV/dec，而TFET能获得低于60mV/dec的非常小的S因子。 东芝新型TFET晶体管，使MCU功耗降至1/10 MOSFET与TFET的工作原理的区别 因此，TFET能以非常低的电压驱动，还能大幅减小关态漏电流。例如，工作电压“可降至MOSFET的1/2以下，也就是0.5V以下”（东芝半导体＆存储产品公司半导体研发中心新器件技术开发部器件技术开发主任川中繁）。关态漏电流与MOSFET相比有望减小约2位数。工作电压低就能降低工作时所需电力，而关态漏电流小可削减待机时所需电力。 东芝新型TFET晶体管，使MCU功耗降至1/10 有望实现超低功耗 英特尔也将其视为新一代技术的有力候补 英特尔也是看中了TFET的潜力的企业之一。作为以低电压工作的新一代晶体管技术，该公司以前就在大力开发TFET。英特尔预定在SSDM 2014上就TFET发表特邀演讲，演讲题目为“Tunnel-FET Transistors for 13nm Gate-Length and Beyond”，由此可见，英特尔已将TFET作为10nm以后工艺的技术候补。 不过，以前就在推进开发的TFET存在一个巨大的课题，即无法获得充分的导通电流（驱动电流）。东芝半导体＆存储产品公司半导体研发中心新器件技术开发部器件技术开发主任后藤正和介绍说，从TFET的工作原理来看，其开/关利用的是隧道现象，导通电阻比MOSFET大。因此，以前TFET的导通电流要比 MOSFET低3位数左右。 为弥补这个缺点，欲利用InGaAs和GaSb等III-V化合物半导体代替硅来实现TFET的研究逐渐兴起。这些材料与硅相比带隙更窄，因此可缩窄电子隧穿区域的宽度，相应地，能够提高导通电流。英特尔等在学会上发表的就是这种类型的TFET。 东芝新型TFET晶体管，使MCU功耗降至1/10 英特尔等大力开发 限定用途力争尽快实用化 而东芝打算利用硅材料，实现能以CMOS工艺制造的TFET。这是因为，采用III-V化合物半导体的逻辑LSI用晶体管“连MOSFET都还没实现实用化，而TFET的技术难度比MOSFET更高”（后藤正和）。 东芝计划将TFET的用途也限定为“现实路线”，以尽快实现实用化。不打算将其用于智能手机用应用处理器等工作频率超过1GHz的用途，而是瞄准了重视耗电量、工作频率约为几十MHz的MCU。另外，并不打算将芯片上的所有MOSFET都换成TFET，只将其用于逻辑部分中特别重视低关态漏电流的区域和 SRAM。 东芝新型TFET晶体管，使MCU功耗降至1/10 计划将TFET用于逻辑部分中重视低关态漏电流的区域和SRAM 根据应用位置开发3种类型 东芝此次开发出了可利用CMOS工艺制造，而且与以往的硅材料TFET相比在导通电流和工艺偏差方面更有利的TFET。此次开发的TFET有3种类型，分别根据设想应用的电路块对特性进行了优化。这三种TFET分别是（1）用于逻辑部分、关态漏电流小、导通电流和工艺偏差取得平衡的TFET；（2）用于逻辑部分、关态漏电流小、导通电流大的TFET；（3）用于SRAM、工艺偏差小的TFET。后两种是东芝和日本产综研的共同开发成果。 这三种TFET的相同点是，都采用了立式TFET构造。这种构造能将源极扩大到普通TFET（横式TFET）的沟道区域，隧道电流能沿着与栅极电场平行的方向流动。 东芝新型TFET晶体管，使MCU功耗降至1/10 采用立式TFET 采用这种构造有两个优点。首先，基于栅极电场的隧道电流控制性升高，因此能提高导通电流。其次，可扩大隧道电流流动区域的截面积，因此容易减小工艺偏差。提高作为TFET缺点的导通电流 （1）是利用硅的外延生长，能以自对准工艺形成开/关特性出色的陡峭隧道结。形成隧道结时，在源极与沟道之间设置了防止源极中的添加杂质（B）扩散的 C（碳）掺杂层，还在沟道中添加P（磷）以降低阈值电压。通过这些措施，这种TFET的导通电流较以往的硅材料TFET提高了约一位数，还降低了工艺偏差。 东芝新型TFET晶体管，使MCU功耗降至1/10 利用硅的外延生长 ） 东芝新型TFET晶体管，使MCU功耗降至1/10 导通电流大，工艺偏差小 （2）利用了带隙比硅窄的材料SiGe，目的是在保持与CMOS工艺的亲和性的同时，获得比硅材料TFET更高的导通电流。 不过，即使源极、漏极和沟道全部采用SiGe，其效果也很小。东芝通过能带图推测了在构成CMOS的pFET和nFET的哪部分采用SiGe能提高导通电流。结果发现，在pFET的沟道和nFET的源极采用SiGe时，效果达到大化。 与以往的硅材料TFET相比，这种TFET的导通电流提高到了100倍。通过部分去除源极端的SiGe，还抑制了采用SiGe造成的关态漏电流增大现象。 东芝新型TFET晶体管，使MCU功耗降至1/10 在SiGe的应用位置上下工夫 东芝新型TFET晶体管，使MCU功耗降至1/10 既能提高导通电流又能降低关态漏电流 采用无结构造将偏差降到小 （3）采用去除了源极和沟道间的物理隧道结的“无结（Junctionless）”构造。这是此前不存在的“全新概念的器件”（后藤）。 据后藤介绍，立式TFET原本就采用了耐工艺偏差的构造，但为了形成隧道结而追加的制造工艺，使偏差不可避免地增大。因此，此次的构造弃用物理隧道结，利用加载栅极电场时耗尽层的扩展，以电气方式形成隧道结。对这种新构造器件的工作情况进行验证发现，其工艺偏差比横式TFET减少了一半。 东芝新型TFET晶体管，使MCU功耗降至1/10 去掉物理隧道结 东芝新型TFET晶体管，使MCU功耗降至1/10 偏差减半 今后，东芝将以量产为目标，开发把MOSFET和TFET配备在同一个芯片上的技术。其课题在于制造成本。TFET的制造工序数量比MOSFET更多，因此该公司打算使其在性能和芯片面积方面占优势，由此抵消成本增加的部分。计划使制造工序数“仅比MOSFET增加15％左右”（川中）。性能方面，计划使 S因子由目前的100左右降到60以下。 工艺技术“不打算采用（应用处理器使用的）工艺，而是利用65nm工艺或者更宽松的设计规则”（川中）。东芝计划在自家工厂量产这些产品。的e络盟社区聚集了丰富的应用及产品信息，包括360o产品图片、视频及下载资源，以及产品库存、售价、制造商明细及工程师点评等，而设计中心栏目还为工程师提供访问支持文件、技术数据表及论坛发帖的链接，以协助他们充分利用开发工具并及时迅速地解决问题。 该栏目站点是基于用户反馈及调研结果而创建，支持行业的搜索及选择功能，可通过输入关键词及部件编号进行搜索，并通过制造商、核心架构及芯片类别进行筛选。用户可将需要购买的开发工具自动添加至交易网站上的购物车内。 e络盟战略营销负责人Quintin Komaromy表示：“e络盟此次推出的全新设计中心栏目为设计工程师提供所需的全部内容，他们能够通过这个一站式资源中心获取新系列开发工具及套件以及完备的应用及产品数据资料。我们曾对工程师展开调研，以便了解并帮助他们快速地加快产品的上市周期，我们创建的这个资源中心能够为工程师在设计流程各个阶段提供所需支持。” “e络盟社区作为工程师进行讨论与协作的平台已获得巨大成功，现拥有25万社区成员，而设计中心栏目无疑是我们战略发展的又一重大举措。” “该栏目站点现已经可以支持从无线到传感和物联网应用的嵌入式技术，未来还将提供更丰富的内容及更强大的功能，以便为设计流程整个阶段提供支持。除了设计中心栏目，用户还可通过e络盟交易网站选购业内的开发工具及套件，几乎各地都支持当天派送服务。”CONTROL TECHNIQUES V75 ICD FLUX VECTOR DRIVE, REFURBISHLINCOLN ELECTRIC IDEALARC R3R-500 ARC WELDER /GENERATORFANUC A06B-6076-H101 SERVO AMPLIFIER FANUC A06B-6076-H001 SERVO AMPLIFIERFANUC A06B-6076-H101 SERVO AMPLIFIER FANUC A20B-9000-0300 PCB SERVO MOTOR SENSOR FANUC A06B-0756-B201#3000 AC SPINDLE MOTORFANUC A06B-0756-B201#3000 AC SPINDLE MOTORFANUC 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DC ARC WELDERINDRAMAT 2AD132C-B050B1-BS01-D2V1 AC SERVO MOTORSQUARE D EE45T1814HF 45 kVa GENERAL PURPOSE TRANSFORMERSQUARE D EE45T1814HF 45 kVa GENERAL PURPOSE TRANSFORMERINDRAMAT NAM 1.3-08 LINE FORMERINDRAMAT NAM 1.3-08 LINE FORMERAMETEK 511571 REGENERATIVE BLOWERSQUARE D 145T145HISDIT 145 kVa GENERAL TRANSFORMERAMETEK 511571 REGENERATIVE BLOWERAMETEK 511571 REGENERATIVE BLOWERAMETEK 511571 REGENERATIVE BLOWERGE SPECTRA EHGBAAQZRZZZZZZ 1600 A BUSWAY, NNBINDRAMAT NAM 1.3-08 LINE FORMERINDRAMAT 2AD132D-B350B1-AS01-D2N1 SERVO MOTORSQUARE D MHL366008002 600 A CIRCUIT BREAKER, NNBALLEN BRADLEY 8520-3S5A-BAT-EX4-T1-Y-4-5-7 SYSTEM MODULALLEN BRADLEY 8520-3S5A-BAT-EX4-T1-Y-4-5-7 SYSTEM MODULALLEN BRADLEY 1394-SJT10-A 10 kW SYSTEM MODULE MODULEALLEN BRADLEY 8520-4S10A-BATEX SERIES 9/440 CNC MODULEALLEN BRADLEY 8520-S10 9/440 SERIES CNC SYSTEM MODULEALLEN BRADLEY 1394-SJT10-A 10 kW SYSTEM MODULE MODULEALLEN BRADLEY 8520-S5 SERIES 9/440 CNC SYSTEM MODULEALLEN BRADLEY 8520-3S5A-BAT-EX4-T1-Y-4-5-7 SYSTEM MODULI-T-E MXD63M800 CIRCUIT BREAKER 800 AMPFANUC A06B-0731-B200#3000 AC SPINDLE MOTORFANUC A06B-0731-B200#3000-R AC SPINDLE MOTORFANUC A06B-0331-B061#7000 AC SPINDLE MOTORSIEMENS PH6138-4NF46 AC SERVO MOTORALLEN BRADLEY F-6200 -R-HO4AA BRUSHLESS SERVO MOTOR NIBALLEN-BRADLEY 8520-RIOM1 REMOTE I/O MODULELINCOLN ELECTRIC IDEALARC R3R-300 ARC WELDER /GENERATORLINCOLN ELECTRIC IDEALARC R3R-300 ARC WELDER /GENERATORLINCOLN ELECTRIC IDEALARC R3R-300 ARC WELDER /GENERATORHORNER ELECTRIC HE693THM166B THERMOCOUPLE INPUT MODULEFANUC A16B-1212-0871/14C RJ-2 POWER SUPPLY UNIT *FANUC A06B-6066-H235 SERVO AMPLIFIER *FANUC A16B-1212-0871/10C RJ-2 POWER SUPPLY UNIT *FANUC A16B-1212-0871/16C POWER SUPPLY W/ A20B-2000-0600FANUC A16B-1212-0871/16C RJ-2 POWER SUPPLY UNIT
